19-07-2019, 18:00

Samsung Galaxy Note 10 có điểm hiệu năng vô cùng ấn tượng

Ngoài những thông tin đồn đoán về việc Samsung Galaxy Note 10 sẽ có cải tiến lớn về bút S-Pen, RAM và dung lượng pin cao. Mới đây, chiếc smartphone này còn lộ điểm hiệu năng ấn tượng.
Samsung Galaxy Note 10 có điểm hiệu năng vô cùng ấn tượng
Galaxy Note 10 sẽ được trang bị vi xử lý Snapdragon 855+ (dành cho thị trường Mỹ) hoặc Exynos 9825 (dành cho các thị trước khác). Đây là con chip được sản xuất trên tiến trình 7 nm khắc quang cực tím (EUV) mới nhất hiện nay. Chính điều này giúp kích thước vi xử lý 7nm mới nhỏ hơn 40%, nhanh hơn 20% so với các chip 7nm thế hệ đầu tiên.
Theo thông tin rò rỉ, phiên bản vi xử lý 'cây nhà lá vườn' Exynos 9825 của Samsung đạt 10.223 điểm đa nhân, trong khi đó Exynos 9820 đang được trang bị trên Galaxy S10 chỉ đạt được 10.045 điểm.
Hiệu năng giữa Galaxy Note 10 bên phải và Galaxy S10 bên trái.
Điện thoại Android nhanh nhất hiện tại trên Geekbench là Black Shark 2 (Snapdragon 855) với 10.771 điểm đa lõi (Geekbench). Trong khi đó, chiếc smartphone Asus ROG II sở hữu Snapdragon 855+ vừa lộ hiệu năng trên Geekbench với 11.103 điểm.
Rất có thể khi ra mắt chính thức, Galaxy Note 10 sẽ trở thành một trong những chiếc smartphone có hiệu năng ấn tượng nhất hiện nay. Sự kiện ra mắt Galaxy Note 10 dự kiến sẽ diễn ra ngày 7/8 tại Trung tâm Barclays ở quận Brooklyn, New York, Mỹ.
Nguồn: PhoneArena
Trấn Minh