13-01-2019, 13:30

Samsung sẽ sản xuất hàng loạt siêu chip GAAFET 3nm vào năm 2021

Để bù đắp cho các tác động của chu kỳ giảm giá bộ nhớ, Samsung đã bắt đầu tăng cường đẩy mạnh nghiên cứu các quy trình sản xuất tiên tiến hơn để bắt kịp TSMC. Theo Giám đốc điều hành của Samsung, họ sẽ sản xuất hàng loạt chip EUV 7nm trong nửa cuối năm nay, và vào năm 2021, họ sẽ sản xuất hàng loạt chip GAAFET 3nm tiên tiến hơn.

Bên cạnh đó, Ryan Sanghyun Lee, phó chủ tịch kinh doanh chip của Samsung, cho biết công ty đã phát triển công nghệ GAA (Gate-All-Surround) từ năm 2002 và đã tạo ra MBCFET (Multi-Bridge-Channel) bằng cách sử dụng các thành phần nano, điều này sẽ giúp tăng cường đáng kể hiệu năng của các bóng bán dẫn.

Năm ngoái, Samsung cho biết họ sẽ sử dụng quy trình GAAFET 4nm vào đầu năm 2020. Trước đó, phó chủ tịch hãng phân tích Garner - Samuel Wang, đã phát biểu rằng chip GAAFET sẽ được sản xuất trước năm 2022. Tuy nhiên, Wang nói rằng bây giờ có vẻ như Samsung sẽ đưa chip GAAFET vào sản xuất sớm hơn dự kiến.

Samsung cũng dự kiến sẽ là hãng đầu tiên đưa chip EUV 7nm vào sản xuất vào cuối năm nay. Mặc dù TSMC và Global Foundries không quá chậm trong việc phát triển chip EUV, nhưng Samsung có lợi thế vì họ đã phát triển công cụ kiểm tra mặt nạ EUV của riêng mình và chưa có công cụ thương mại tương tự nào được phát triển.

Yongjoo Jeon, một kỹ sư chính của Samsung Foundry, cũng nói thêm rằng công ty đang đi đúng hướng để đạt được mục tiêu cho việc sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay.

Theo: Gizchina

Nguồn : http://cdn.fptshop.com.vn/tin-tuc/tin-moi/samsung-se-san-xuat-hang-loat-sieu-chip-gaafet-3nm-vao-nam-2021-79073